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英特尔代工业务（Intel Foundry Services）面临重大挑战，18A制程工艺的良率不足10%，几乎无法实现量产。
原本陷入困境的代工业务再添压力，并可能对公司整体战略产生深远影响。
如果英特尔能在未来几个月内将18A的良率迅速提高到可观的水平（超过 60%），那么该节点仍有可能推动公司下一代产品的发展。
从实际情况来看，除非创造奇迹。
18A制程被视为英特尔复兴战略的重要支柱，目前良率远低于业界标准，主要客户Broadcom失去信心。
据称Broadcom工程师认为18A制程无法支持大规模生产，已取消相关订单，开始寻求其他供应商。
Broadcom将晶圆送到英特尔，使用18A工艺进行蚀刻，得到的结果并不令人满意。
目前还无法进行大批量生产。
良率太低直接导致英特尔在美国政府的芯片补贴计划中受挫，未能获得更大规模的资金支持。
相比之下，台积电在先进制程方面的表现更加稳定。
英特尔选择台积电3nm来制造Arrow Lake处理器的计算模块和Lunar Lake的SoC模块，而不是英特尔3，甚至英特尔20A。
尽管N2制程在技术节点上略逊于英特尔的18A，但在关键指标—SRAM密度上表现出色。
这意味着台积电在效率和性能上具备明显优势，进一步巩固了在全球代工市场的领导地位。
英特尔18A制造工艺（1.8纳米级）SRAM密度明显低于台积电N2（2纳米级），更接近台积电的N3。
18A制造工艺采用了高密度SRAM位单元，尺寸为0.021微平方米（从而实现约31.8Mb/mm²的SRAM密度），与英特尔4代中0.024微平方米的高密度SRAM位单元相比显著提升，与台积电的N3E和N5相当。
相比之下，台积电的N2制造技术将高密度SRAM位单元尺寸缩小至约0.0175微平方米，实现了38Mb/mm²的SRAM密度。
18A和N2都采用了环绕栅极（GAA）晶体管，与英特尔不同，台积电依赖鳍式场效晶体管（FinFET）的前代技术基础上，成功将高密度SRAM位单元尺寸大幅缩小。
当前英特尔在代工业务上的困境让外界对其未来发展方向产生疑问。
