11月22日上午，就在研微半导体落户无锡经开区两周年之际，该企业自主研发的首台国内先进纳米制程原子层沉积设备发车出厂，交付国内头部客户。
此次交付的设备是国内目前先进的金属原子层沉积设备，该拳头产品在精度、效率及稳定性等方面实现质的飞跃，技术上已达到国际领先水平，成功填补国内金属原子层沉积领域的空白，能够有效应对制程推进和线宽缩小所带来的电阻率上升问题，一举解决这一长期困扰行业发展的难题。
研微公司的创始人、CEO林兴博士介绍，这台300mm半导体设备针对芯片中高深宽比结构的台阶覆盖不良等问题，可以提供优异的沉积均匀性和一致性，在精度、效率及稳定性等方面实现质的飞跃。
不仅如此，该设备还能够有效应对半导体逻辑芯片向5nm及更先进制程推进和线宽缩小所带来的电阻率上升问题，用先进ALD的方法沉积新一代金属材料，一举解决这一长期困扰行业发展的难题。“待批量化生产后，具有较高性价比优势。”研微相关负责人表示。
目前，研微已有多款原子层沉积设备产品完成样片检测，正逐步进入客户工厂进行验证生产。值得一提的是，研微研发的High-K材料的原子层设备采用全球首创的双腔架构，在同样占地面积的情况下实现了产能提升近两倍。综合性能、价格等因素，与同类产品相比，这款产品可降低用户综合使用成本30%—40%。
研微半导体作为经开区集成电路装备领域的代表企业，致力于半导体薄膜沉积技术的研发与创新。从单项技术突破到产品线多元化发展，企业已拥有国内最全且最先进的ALD设备技术和外延设备技术，成功开发出多款整机设备，成为高端半导体领域的创新先锋。
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