今日，麻省理工学院（Massachusetts Institute of Technology）Yanjie Shao，李巨Ju Li，Jesús A. del Alamo等，法国 巴黎萨克雷大学（Université Paris-SaclayMarco Pala，Ju Li, David Esseni，Jesús A. del Alamo等，在Nature Electronics上发文，报道了基于破隙型broken-bandGaSb/InAs系统，可缩放制造了垂直纳米线异质结隧道晶体管。
这些器件的驱动电流为300µAµm−1，工作电压为0.3V时，开关斜率低于60mVdec−1。这种方法，取决于隧道结处的极端量子限制，并基于强量子化时，隧道异质结处的界面钉扎能带排列。
Scaled vertical-nanowire heterojunction tunnelling transistors with extreme quantum confinement.
具有极端量子限域，可缩放的垂直纳米线异质结隧道晶体管。
文献链接
Shao, Y., Pala, M., Tang, H. et al. Scaled vertical-nanowire heterojunction tunnelling transistors with extreme quantum confinement. Nat Electron (2024).
https://doi.org/10.1038/s41928-024-01279-w
https://www.nature.com/articles/s41928-024-01279-w
本文译自Nature。
来源：今日新材料
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