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2024年10月21日，美国商务部工业与安全局（Bureau of Industry and Security，简称BIS）发布公告，宣布将26家来自中国、埃及、巴基斯坦和阿联酋的企业和个人新增至实体清单（Entity List），理由是这些实体的行为被认为与美国的国家安全和外交政策利益相违背。这次的名单更新涉及6家中国公司，并且涵盖了与军事技术、武器扩散以及规避美国制裁等领域的相关活动。
2、海光信息：打造兼顾效率、韧性和安全的中国计算市场10月18日，2024光合组织领导人大会在成都召开，来自“政产学研用”领域的近千位嘉宾齐聚，围绕国产计算产业提质增速展开深度探讨。会上，海光信息副总裁吴宗友分享了开源开放的C86生态战略。他表示，海光将基于可持续迭代的C86技术路线，打造协同、开放、可靠的生态赋能平台，与核心软硬件生态伙伴逐步站稳关键行业，开辟兼顾效率、韧性和安全的中国计算市场。10月24日，德州仪器（TI）官网宣布，他们已在日本会津新建了一座8英寸GaN工厂并开始大规模生产。据称，结合其在美国德克萨斯州达拉斯的现有生产线，他们GaN半导体的产能将提升4倍。德州仪器日本会津GaN产线由8英寸硅基生产线改造而来，其美国达拉斯工厂也预计在2025年完成8英寸过渡，未来2座工厂还将一步推进到12英寸。中国台湾SiC新玩家——格棋化合物半导体新厂总投资金额达6亿新台币（约1.33亿人民币），预计2024年第四季达到满产。其中，6吋碳化硅衬底月产能达5000片；2024年底前，新厂将安装20台8吋长晶炉及100台6吋长晶炉，将大幅提升整体产能。5、辽宁奥亿达新材料股份有限公司热场隔热材料的一体化生产及研发中心建设项目奥亿达新材料成立于2011年，目前已形成了“石油沥青-沥青基碳纤维－热场材料”全产业链布局。尤其是在第三代SiC半导体晶体与外延生长领域，公司率先打破国外企业在半导体热场隔热材料领域的垄断，填补了国内本领域的空白，为我国第三代半导体产业健康发展作出了贡献。烁科晶体SiC二期项目已竣工验收，新增20万片/年产能。据悉，烁科项目位于山西转型综合改革示范区潇河产业园太原起步区(北区)，厂房分两期建设。其中一期工程已于2024年5月完成验收；二期工厂在一期工程基础上扩建，在2023年8月进行备案，同年10月提交建设申请，目前也宣告完成验收。10月18日，据“投资济南”官微消息，济南市半导体、空天信息产业高价值技术成果本市转化对接会于17日在历城区国家超级计算济南中心举办，会上签约了一个GaN单晶项目——山东晶镓半导体有限公司。晶镓半导体成立于2023年8月，主要从事第三代半导体材料氮化镓（GaN）自支撑单晶衬底的研发、生产和销售；已与山东大学开展全方位产学研合作。是国际上少数具有完全自主知识产权的GaN自支撑单晶衬底生产制造厂家。10月10日，桐乡临空经济区举行了招商推进会，42个优质项目集中签约，总投资达54.4亿元，其中包括一个GaN外延项目。据悉，一个从事高性能、高品质氮化镓半导体外延片与芯片研发、生产及销售的氮化镓半导体外延片项目签约落户屠甸镇。冠亚半导体计划投资15亿元新台币（约3.3亿人民币）在新竹园区新建项目，生产氮化镓功率器件相关产品，产品规格包括650V（GaN on Si）以下和1200V（GaN on Sapphire/SiC）以上，适用于高压、高功率、高速及低能耗的应用环境。此外，冠亚8英寸第1套生产线目前已完成全部设备进机。10月18日，“芜湖市生态环境局”公示了关于芜湖予秦半导体科技有限公司晶体材料研发及产业化项目环境影响报告书。该项目总投资1.1亿元，选址位于芜湖高新技术产业开发区，项目占地面积约3000平方米，租赁芜湖太平洋塑胶有限公司厂房建筑面积2428.6平方米，建设SiC半导体晶体材料生产线，项目共投入30台长晶设备，产能为840个晶锭/年。以上。
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最后，石大小生建了一个半导体行业交流群，感兴趣的朋友可以加入，先加小编（务必备注公司+姓名，否则不予通过，感谢理解），谢谢。
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